铠侠拟投超1万亿日元建新厂 量产下一代NAND闪存

观点网讯：8月27日，日本存储芯片厂商铠侠宣布一项新的建设计划，拟投资超1万亿日元（约合68亿美元）在日本岩手县北上工厂园区内新建第三座生产厂房，用于量产下一代高性能NAND闪存芯片，项目目标投产时间定在2029年以后。

据知情人士透露，铠侠高层计划于周四前往日本首相官邸宣布该计划，扩产旨在满足持续强劲的人工智能（AI）相关存储需求。

此次扩产将提高铠侠的晶圆制造产能，以应对AI服务器对高性能存储芯片的旺盛需求。

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