武芯烧录器支持SAMSUNG K9K8G08U0B系列芯片编程烧录

K9K8G08U0B系列是SAMSUNG一款具有256M-bit备用区的8G-bit NAND闪存。其中，K9WAG08U1B是具有512M-bit备用区的16G-bit NAND闪存。它们采用1G×8位存储配置，均面向大容量非易失性存储应用，比如固态文件存储以及其他需要非易失性的便携式应用。

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图片来源SAMSUNG官网

该系列页面容量为（2K+64）字节，其中2K字节用于存放主要数据，64字节通常作为备用区。典型页面编程时间约为200µs。擦除操作以（128K+4K）字节为一个块，典型块擦除时间约为1.5ms。这里的128K字节是主数据区域，4K字节对应块内各页面的备用空间。且数据寄存器中的内容，可以按照每字节约25ns的周期时间读取。读取周期越短，理论上数据从芯片内部寄存器输出到外部接口的效率越高。这对于需要频繁读取程序、配置文件或业务数据的应用具有实际意义。

它的I/O引脚同时用于命令输入、地址输入以及数据输入输出。并且K9K8G08U0B系列内部集成写入控制器，可自动处理编程和擦除相关操作，包括必要情况下的脉冲重复、内部数据验证和裕度检查。K9K8G08U0B/K9WAG08U1B可提供最高10万次编程与擦除循环能力，对于写入较为频繁的系统，合理配置ECC、坏块管理和实时映射算法，以保障数据完整性。

主要特性：

3.3V (2.70V ~ 3.60V)

K9K8G08U0B ：(1G 32M) x 8位

K9WAG08U1B ：(2G 64M) x 8位

数据寄存器：(2K 64) x 8位

页编程：(2K 64)字节

块擦除：(128K 4K)字节

页大小：(2K 64)字节

随机读取：25µs(最大)

串行访问：25ns(最小)

页编程时间：200µs（典型值）

块擦除时间：1.5毫秒（典型值）

命令/地址/数据复用 I/O 端口

硬件数据保护

电源转换期间的编程/擦除锁定

可靠的CMOS 漂浮栅技术

耐用性：10 万次编程/擦除周期（每 528 字节 1 位 ECC）

数据保留：10 年

封装：K9K8G08U0B-PCB0/PIB0 48 引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 毫米间距） K9WAG08U1B-PCB0/PIB0 48 引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 毫米间距）K9WAG08U1B-ICB0/IIB0 52 引脚 ULGA（12 x 17 / 1.0 毫米间距）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG

K9K8G08U0B系列K9K8G08U0B-YCB0、K9K8G08U0B-PIB0、K9K8G08U0B-PCB0、K9K8G08U0B-YIB0、K9G8G08U0B-PIB0芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。