除HBM外，黄仁勋还称英伟达在晶圆代工领域与三星电子合作

据韩联社报道，英伟达（NVDA.US）首席执行官（CEO）黄仁勋3月16日在年度全球开发者大会“2026年GTC大会”上作主旨演讲时特别提到三星电子，感谢三星为英伟达加快生产人工智能（AI）推理芯片。此言证实两家公司正在晶圆代工领域开展合作。

该大会当天在位于美国加州圣何塞的SAP中心举行。黄仁勋在演讲中提及AI推理芯片并表示，三星为英伟达生产“Groq 3语言处理单元（LPU）”芯片，并正在加快生产速度，我非常感谢三星。他还说，该芯片将被搭载于英伟达下一代AI芯片平台“Vera Rubin”，该平台有望于今年第三季度量产上市。

从黄仁勋的发言可见，三星电子的晶圆代工部门正在生产Groq 3 LPU芯片。由此可知，除了高带宽内存（HBM）外，三星电子还在晶圆代工领域与英伟达合作，彰显两大巨头的紧密合作关系。

三星电子当天在大会现场展出第七代HBM产品“HBM4E”、垂直堆叠芯片“核心裸片”（Core Die），积极宣传其在存储领域与英伟达的合作进展。