什么是芯片高温储存可靠性测试？

高温储存测试的核心逻辑非常简单：不通电，单纯用高温烤，看芯片能放多久不坏。

高温储存测试的核心目的与原理？

高温储存测试的物理基础是阿伦尼乌斯方程：温度每升高 10°C，化学反应速率（老化速率）通常会翻倍。

通过在高温下（如 150°C）长期存放，我们可以模拟芯片在正常温度下（如 25°C 或 55°C）数年甚至数十年的老化过程。

高温储存测试主要用来暴露以下失效机制：

1，金属间化合物 (IMC) 过度生长：这是最核心的检测点。高温会加速原子扩散，导致焊点中的 IMC 越长越厚。

2，柯肯达尔空洞：也就是常说的凸点内部空洞，导致焊点内部变空。

3，氧化 ：检查引脚、镀层在高温下是否会严重氧化导致接触不良。

4，材料退化 ：塑封料或底部填充胶在高温下是否会分解、变脆或变色。

测试标准与条件？

行业通用标准是JEDEC JESD22-A103。 测试通常在精密的高温烘箱中进行，不需要加偏压（Unbiased），也就是芯片是不通电的。

常见等级:

     125°C —— 消费级芯片（手机、PC）。

150°C—— 工业级、车规级（最常用）。

175°C—— 引擎周边、SiC/GaN 功率器件。

持续时间 ：

标准时长：1000 小时。通常在168h, 500h, 1000h取出进行测试。

对于车规级（AEC-Q100 Grade 0），甚至可能要求测到 2000 小时。

来源于Tom聊芯片智造，作者Tom