半导体行业晶圆厂防微振的要求

半导体项目的工艺防微振要求主要包括以下方面：

设计规范方面：

• 遵循相关标准：根据工艺生产需求和设备布置，厂房内微振动控制应满足相应的微振动控制标准，如VC-C、VC-D等不同等级标准。

• 明确表征方式：微振动宜采用频域的恒带宽或恒比例带宽的振动位移、振动速度、振动加速度或功率谱密度等表征，以便准确监测和评估。

• 多方向控制：微振动控制应包括竖向和水平方向的控制，同一工艺生产楼层中，垂直方向的微振动控制区域根据各精密设备（如光刻机 电镜 离子注入机等）要求确定，水平方向按全部设备中最严格标准确定。

1. 光刻机（ArF/EUV）

频率范围：0.5~100Hz（核心敏感段2~20Hz）

振动速度要求：≤0.005~0.01mm/s（EUV光刻机为最高等级，≤0.005mm/s）

2. 场发射扫描电镜（FE-SEM）

频率范围：1~50Hz（核心敏感段1~10Hz）

振动速度要求：≤0.01~0.02mm/s

3. 聚焦离子束刻蚀机（FIB）

频率范围：0.5~80Hz（核心敏感段2~30Hz）

振动速度要求：≤0.01~0.015mm/s

4. 原子力显微镜（AFM）

频率范围：0.5~60Hz（核心敏感段1~20Hz）

振动速度要求：≤0.005~0.01mm/s（与EUV光刻机同级）

5. 离子注入机（中/高能量）

频率范围：2~100Hz（核心敏感段5~50Hz）

振动速度要求：≤0.02~0.03mm/s

地基设计

1. 精密区设独立隔振筏板基础，与动力区地基分离

2. 承载力≥300kPa，沉降≤5mm、差异沉降≤2mm

3. 动力区与精密区间距≥15m，受限设≥3m深隔振沟

（初期素地评估）

结构设计

1. 精密区楼板厚≥200mm，自振频率≥8Hz

2. 核心设备做独立加厚承台，与普通楼板脱开

3. 管线配隔振支吊架，风管/水管设≥300mm柔性段

（独立基台，图中展示检测防微振基台的特性、基台对场地振动的响应，确保基台本身的隔振性能达标）

施工控制

1. 精密区混凝土≥C40，养护≥14d

2. 设备基础做二次灌浆，严控安装面水平

3.施工避开精密区强振动作业，管线杜绝硬接触

（恒帆减振工程师进行最终验收工作，检测微振动等级，设计防微振等级为VC-D 验收检测防微振等级为VC-E 超标交付）运行监测方面：• 振动监测系统：在施工和运营阶段，使用振动传感器和监测系统对洁净厂房的振动进行实时监测，根据结果采取调整和改进措施。• 定期检测评估：按步骤进行场地环境振动测试及分析评估、工程主体结构封顶后工艺生产楼层结构动力特性测试及分析评估等多项测试评估工作。

（前期素地评估作业）