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2022年5月， 集微网发文《PA成去库存“重灾区”，持续扩产之下，砷化镓代工产能已供过于求》。二代半导体的砷化镓代工厂，投资前景堪忧，成了大部分人的想法。但是，射频前端产业观察认为：中国本土砷化镓代工厂在2022和2023年迎来了黄金机遇。

疾风知劲草：中国本土砷化镓代工厂迎来战点！

首先介绍了双极性晶体管（BJT）的工作原理，接着演示了晶体管的伏安（I-V）特性，电流增益（current gain）和输出电导（conductance）。高能注入和重掺杂带来的能带狭窄也会介绍到。解释了SiGe晶体管、度越时间、截止频率的基本概念。另外介绍一些BJT的晶体管模型，比如Ebers-Moll，smal-signal和charge control模型。每一个模型都有各自的应用范围。

不理解双极性晶体管（BJT)，怎么做手机射频PA?

就在他伸手在柴堆上点火时，一道红色的强光从门洞射入，接着涌入一股挟带着烟尘的热浪，一匹马穿透强光跑进大殿，马的躯体在熊熊燃烧，已成了一团火球，奔跑时火焰呼呼作响。马上骑着一个人，是一位穿着重铠的中世纪骑士，他的盔甲已被烧得通红，奔跑时拖着一股白烟。

《三体》在射频前端产业的投影：2022年的关键字——“脱水”

宇宙社会学是中国科幻小说作家刘慈欣作品《三体II 黑暗森林》中叶文洁建议罗辑建立的学科。指在人类当前的科技水平和社会状况下，从两条不证自明的基本公理出发（一、生存是文明的第一需要。二、文明不断增长和扩张，但宇宙中的物质总量保持不变），借由引入两个重要概念——猜疑链和技术爆炸，从理论上建立起的一套关于描述当前宇宙社会大图景的大体系的一门学科。并在之后的一次实践中从客观上论证了理论的正确性（罗辑向宇宙发送的“咒语”（187J3X1恒星的确切坐标），让其他文明毁灭了太阳50光年外的187J3X1恒星）。以上引用在百度百科。

《三体》世界在射频前端产业的投影：技术大爆炸之后是一地鸡毛，还是光速飞船？（待续）

5G背后的驱动力是新无线电（NR）。现在，降低能力（红帽）新无线电正在帮助扩展NR设备生态系统，从而实现更多5G用例的增长。了解NR RedCap究竟是什么，以及它打算实现的目标。


什么是降低能力 （RedCap） NR，它将实现什么目标？

In this blog post, we’ll have a look at some of the basics of electronic resonators such as: what is a resonator, the types of resonators that are most used on the market, the basic physical principles, the most important characteristics, and how to get all of that with simulation using OnScale.

Simulation of SAW & BAW Resonators for RF Filters

HBT器件的线性主要是由三个方面决定的：1. 跨导，2.Cbc，3.跃度时间。这篇文章研究了HBT器件的Ft曲线平坦度和线性的关系。

Improved GaAs HBT Device Linearity with Flattened Ft Curve

变化是永恒的，唯一不变的就是变化。2019年是中国5G的元年，伴随着5G的部署和成熟，市场的增长逐步逼近它成长的边际。内卷或者躺平？新的希望在哪里？刚好在上海疫情封闭期间，重新读了刘慈欣的大作《三体》。如果用《三体》的宇宙观思考目前的产业状况，会怎样？

《三体》世界在现实的投影：射频前端产业的黑暗森林法则和推演（待续）

全文翻译自GaAs wafer market growing at 10% CAGR to over $348m by 2025 (semiconductor-today.com)

到2025年，砷化镓外延片市场以10%的复合年增长率增长，达到3.48亿美元以上

全文来自Skyworks网站文章，标题做了改动。用同一个CMOS Die来实现ET电源调制和射频功率放大，是有突破的尝试。

Single die for ET PMIC and CMOS PA for 4G/5G application?

本文重点介绍德州仪器 （TI） 的包络跟踪，这是一种用于提高 LTE 发射器 PA效率的新型电源管理技术。

蜂窝射频功率放大器的包络跟踪电源芯片

伪形态高电子迁移率晶体管（pHEMT）是单片微波集成电路（MMIC）设计人员和晶圆厂用来开发和制造微波集成电路的一种技术。pHEMT因其卓越的宽带性能特性，包括低噪声系数，高OIP3和高达40 GHz及以上的出色可靠性，作为电子制造商（如Mini-Circuits）生产的许多MMIC的构建模块而广受欢迎。pHEMT使用不同成分的半导体和带隙之间的异质结来实现出色的高频性能。本文深入探讨了pHEMT操作的物理原理、优势和可靠性测试结果。还提供了Mini-Circuits的pHEMT产品摘要的链接。

MMIC技术：伪形态高电子迁移率晶体管（pHEMT）

RF/微波滤波器是几乎所有无线收发器设计的基本构建模块。滤波器可阻断应用工作带宽之外的不需要信号，同时将带内信号传递到信号链的其余部分。在高层次上，滤波器可以通过它们的响应来描述，即S21曲线在通带、过渡和阻带中的一般形状。理论上理想的滤波器应具有“砖墙”响应，在通带中表现出0 dB的插入损耗，在频率截止fc之外具有无限抑制，并且从通带到阻带的过渡频率为0 Hz，如图1所示。

射频和微波滤波器的拓扑结构

在晶体管发明之前，电话交换机是使用笨重的真空管和机械继电器建造的。贝尔实验室的工程师负责开发晶体管（“传输电阻”的端口），作为现有技术的更小，更不麻烦的替代品。1947年的发明预示着半导体工业的开始，它永远地改变了世界。John Bardeen，Walter Brattain和William Shockley将因其对半导体的研究和晶体管效应的发现而于1957年获得诺贝尔物理学奖。晶体管将对从无线通信到计算的技术的快速发展产生深远的影响，并最终塑造信息时代的格局。[1,2]

了解异质结双极晶体管 （HBT）

半导体在现代社会中无处不在。除了用于计算技术的微处理器外，它们还用于几乎所有有源无线通信系统，包括手机信号塔、手机、雷达和卫星等。Mini-Circuits设计和生产用于许多此类应用的基于半导体（MMIC）的组件。本文探讨了RF半导体的基础知识，从原子开始，为它们的工作原理提供了基本理解。

射频半导体 （MMIC） 入门

When we talk about S-parameters, impedance matching, transmission lines, and other fundamental concepts in RF/high-speed PCB design, the concept of 50 Ohm impedance comes up over and over. Look through signaling standards, component datasheets, applicati

The 50 Ohm Impedance: Where It Came From and Why We Use It

ADI: 放大器设计，科学还是艺术？

图片来自施敏 - 半导体元件物理 - 台湾交通大学公开课  第一个三极管  第一个增强型场效应管   非易失性半导体存储器 作为对比，下图是英特尔下一代至强（Xeon）可扩展处理器。图片来源腾讯网。

清明节：纪念半导体器件的爷爷辈们

全文引用自NASA的文章。文章展望了WBG在太空应用的未来，比较了不同材料的特性和优点。最后，未来的超级宽带材料也被提到。

听听NASA的专家怎么说——宽禁带半导体在太空中的前景

A summary or tutorial explaining the Darlington Pair transistor circuit configuration, with essentials for circuit design and operation.One transistor circuit configuration that can be used to very good effect in many instances is the Darlington Pair. The Darlington Pair offers a number of advantages. It is primarily used because it offers a particularly high current gain and this also reflects into a high input impedance for the overall Darlington circuit when compared to a single transistor.

Transistor Darlington Pair

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