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pspice中的SRAM仿真
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Stack Overflow用户
提问于 2020-08-14 01:24:21
回答 1查看 40关注 0票数 1

这是我的SRAM模拟代码,在pspice中SRAM模拟

VDD 3 0 DC 5V

VWL 4 0 PWL (9us 0V 10us 5V 90us 5V 91us 0V)

VBL1 5 0电源(0 0V 1us 5V 100us 5V 101us 0V)

VBL2 6 0电源(0 0)

M1 1 2 3 3 PMOS

M2 1 2 0 NMOS

M3 2 1 3 3 PMOS

M4 2 1 0 NMOS

M5 5 4 1 1 NMOS

M6 6 4 2 2 NMOS

.MODEL NMOS NMOS (L=5um、W=30um、VTO=0.7)

.MODEL PMOS PMOS (L=5um、W=30um、VTO=-0.7)

.TRAN 0.2us 120

.PLOT事务V(1)

.PROBE

然而,当我模拟时,我没有看到电压存储在mosfet.Can的栅极中,有人告诉我哪里出了问题,或者我应该在代码中做什么修改吗?

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回答 1

Stack Overflow用户

发布于 2021-11-17 22:23:09

您的电路中有几个问题: M5和M6的体二极管连接(阳极)到节点1和2,(阴极)连接到节点5和6。如果节点6和节点5是低电压(0V),则无论您在节点4做什么,体二极管都会胜出。要消除体二极管,请写入:

M5 5 4 1 0 NMOS

M6 6 4 2 0 NMOS

(将批量连接到节点0)

M5和M6必须比M1到M4更强。您必须为它们提供比M1..M4更大的宽度。在M5和M6上尝试使用W=100u。

我错过了你模型中的栅氧化层厚度。(tox=15n或类似的),但可能你的spice版本有一个很好的默认版本来做这项工作。

没有.end语句告诉spice这是代码的结尾。因此,您的spice解释器可能一直在等待找到结尾并开始运行。

票数 0
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页面原文内容由Stack Overflow提供。腾讯云小微IT领域专用引擎提供翻译支持
原文链接:

https://stackoverflow.com/questions/63400281

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