我应该在戴尔PowerEdge R710 bios和ECC DIMM中使用Bios“高级ECC”吗？

Question

我有一个戴尔PowerEdge R710的双英特尔Xeon E5503 CPU。它有96 of (12x8GB)的ECC DIMM。在其BIOS中，内存配置为"Advanced“。

我的问题是，如果我的DIMM已经是ECC，在BIOS中启用这种“高级ECC”模式是否有意义，还是应该切换到“优化”？

戴尔将这些模式描述如下：

高级ECC模式这种模式使用两个MCHs并将它们“绑定”在一起，以模拟128位数据总线DIMM。这主要用于实现基于x8数据存储器技术的单设备数据校正。在每种内存模式下，基于x4的DIMM都支持SDDC。一个MCH完全没有被利用，安装在这个通道上的任何内存都会在POST期间生成一个警告消息。在这种模式下，内存优化模式下，MCHs彼此独立运行；例如，一个可以空闲，一个可以执行写操作，另一个可以准备读操作。内存可以安装在一个、两个或三个通道中。为了充分实现内存优化模式的性能优势，每个CPU应该填充所有三个通道。这意味着一些“非典型”内存配置，如3GB、6GB或12 6GB，将产生最佳性能。除非需要特定的RAS功能，否则这是推荐的模式。

戴尔PowerEdge R 710系统硬件所有者手册

Answer 1

这确实有意义，只有当您需要x4或x8设备上的RAS (可靠性、可用性和服务)功能，并理解满足您的需要的权衡时，才有意义。更多细节可以在戴尔白皮书-内存2009戴尔™PowerEdge™服务器中解释。

此外，配置和布局与R710的具体细节可在技术指南为PowerEdge R710 -(谷歌这个，因为我没有声誉的链接)。

需要注意的重要问题是，芯片上的ECC与Dell的BIOS提供的“高级ECC”(用于单设备数据校正(SDDC) )之间的区别。您将对两者都有性能影响。在写入芯片时，ECC将从错误中恢复。然而，SDDC更进一步，将对比特进行组织，使整个芯片可以失败，并且仍然可以恢复。参见示例和详细信息SDDC E 7500芯片组

问题是您的性能和/或可靠性是否是您对机器的具体使用中最关心的问题。如果芯片故障将导致这台机器上的关键数据或使用的损失，并且它在实现中是不冗余的，那么高级ECC可能是一个很好的方法。但是，这样做对性能的影响可能更重要。

我在Dell PowerEdge服务器上为单个Microsoft实现了这两种方法。如果我能提供更多的帮助，就评论一下，让我知道。

希望这能帮上忙。

编辑:覆盖率差距/ ECC实现

是的，即使实现了这两种方法，也存在着覆盖范围的差距。由于您专门使用的是高可用性服务器集群，所以您应该使用Advanced。与集群设备相比，性能影响最小。根据“关键”，一般只有一个ECC存储器性能下降2%。

差距将更具体地取决于所发生的错误类型以及每个错误的处理方式。在您的特定情况下，它不应该转化为数据丢失。由于这是一个企业DBMS和错误，并发问题等是管理在软件层面，以防止数据丢失。对配置正确的DBMS中的更改有详细的历史记录，如果发生严重错误，使用它的软件通常可以设置事务“回滚”。

ECC实现

ECC将尝试纠正内存读写中的任何位错误。但是，如果错误更严重，那么即使ECC也无法恢复，从而造成数据的潜在损失。在什么是ECC ram？为什么它更好？上也有更多关于ECC的讨论。

根据ECC上的维基百科_内存

ECC存储器有效地保持了一个没有单位错误的存储系统.

SDDC

如果您提到上面的E7500芯片组文档(注意/56XX要求英特尔公司的55登录/合作关系，但想法类似，这就是为什么我最初没有链接)，它描述了SDDC以及它是如何实现的。基本上，它使用一种技术来组织写到内存中的单词，以确保所有的单词都以这样的方式编写，即每个单词只包含一个位错误，即单词应该可以从单个位错误中恢复(如上面所述)。现在是每字，所以它可能会从x4设备上最多4位错误(每字1次)和x8设备上最多8位错误(仍然是每字1次)中恢复过来，方法是纠正每个字。

额外的错误、更多的位错误、总内存错误、通道故障、总线故障等等仍然会导致可怕的问题，但这就是为什么您有一个集群和一个企业DBMS。

简而言之，如果您启用了所有功能，并且有太多的位错误用于纠错算法，那么您仍然会有一个错误，即错误覆盖率差距。不过，这种情况可能会非常罕见。