我想知道(或者至少进行一些合理的猜测) RAM是否容易受到rowhammer攻击。我还没有找到任何易受攻击或安全的RAM模块列表。我看到了一些一般规则(DDR4很好,ECC是一些缓解因素),但是我不能应用这些规则。
购买一个模块是可以的,测试它,如果它不确定的话返回它。但我不想那么做,比如说,十次。
发布于 2015-08-22 05:21:51
对于DDR4:
一家DRAM制造商,美光公司( Micron )表示,他们正在对一些DDR4内存(参见这张数据表)中加入更多的rowhammer缓解措施。其他制造商可能也在这样做。
请注意,"DDR4是好的“不一定是真的。DDR4标准中没有任何东西比DDR3内存更安全-- DDR4标准不包含任何rowhammer缓解功能。如果DDR4内存更安全,那只是因为制造商对其较新的内存更加谨慎,例如在DRAM模块内部实现rowhammer缓解。
对于DDR3:
据我所知,目前还没有官方或非官方的DDR3 DRAM部件有rowhammer故障,也没有公开列表。DRAM制造商还没有发布任何列表,也没有人编制过任何非官方列表。
你可以直接问DRAM制造商,但我不知道他们会有多大帮助。
如果您选择一个您正在考虑购买的DRAM模块,您可以尝试在制造商的网站上查找部件编号。在某些情况下,您可以获得模块的SPD数据。SPD数据中有一个"MAC“(最大激活计数)字段。如果MAC=是“无限的”,那就意味着“已知的无根茎”。然而,这个MAC字段在复员方案标准中的地位并不是很清楚。(有关背景,请参见这个职位。)
https://security.stackexchange.com/questions/96488
复制相似问题