为什么在大量写操作期间磁盘延迟会下降？

Question

看看Munin的盘形插件(它是从/proc/diskstats上读来的)的输出，我注意到了我觉得很奇怪的地方。磁盘是一个SSD，我会假设，无论是磁性的还是固态的，延迟都会在重写期间增加。为什么它会死呢？

Answer 1

写的是随机的还是流的？

我假设它们是连续流“顺序”写入，因为i/o延迟总是低于顺序i/o。随机i/o的延迟更高，因为SSD仍然有一些i/o突发延迟，缓存没有那么有效，SSD上可能会出现必须中断的后台垃圾收集，等等。

阅读更多：https://www.seagate.com/tech-insights/lies-damn-lies-and-ssd-benchmark-master-ti/

Answer 2

在大量写入期间，延迟会增加。为什么它会死呢？

因为你没有偷听的书信。看来你的重笔很大。而在其他时期，你在那里做很多小事情。

看，这里缺少一个IOPS计数器。IOS一般更受IOPS的限制。如果odo很少有大型IOPS (复制大型文件)，那么即使对于SSD (替换单元格的内容比读取单元格、更改一些字节、写入整个单元格更快)，这也更有效。

我们需要分析您所做的事情，但是它看起来有点像一个大型的IO操作对其他操作造成了太大的负担。您是否可能在服务器上安装了VM，甚至关闭了VM？在不知道当时发生了什么的情况下，没人能真正知道。

顺便说一句，对于硬件和SSD，延迟通常是可怕的。有了这个吞吐量和SSD，我期望的延迟要比1ms低得多。

我只是在看一个较小的存储单元，目前正在做大约1000 IOPS -不到1兆字节，当你运行40多个空闲VM的时候你得到的小io .在网络(!)上，写在1.85ms，在5.25us (不是ms，us)读。即使你的最小值也是惊人的高。您的写作一般在我通过1G网络访问SSD的区域。

Answer 3

SSD在写方面有一种奇怪的行为，可能会导致延迟的下降。他们会将数据保存在最初几个MBs的内部写缓存中，然后编写它们。这意味着最初的几次写入将会有一个很短的延迟，因为一旦数据到达内部SRAM，但是还没有到达闪存媒体，写就被确认了。然后快速地将数据写入媒体(通常是通过多个通道并行写入多个闪存)，然后SSD准备获得另一批这样的数据。如果您有在SSD中生成一个大队列的写操作，您将看到延迟上升，如果您的写操作是短脉冲串，则由于每个突发都由SRAM处理，因此您的延迟将大大减少。