什么是迟编程ROM？

Question

第3页中的TDA93XX数据表(一种基于80C51的电视控制器)表示，它可以：

32 -128 kx8位晚期编程ROM

我想知道这意味着什么？我有机会重新编程吗？

Answer 1

这意味着ROM是在被各种不同的方法包围之前编程的。它确实是而不是，这意味着设备是可重新编程的：

美国帕特。第4,295,209号公开了一种后期编程的IGFET ，通过离子注入，在紧接金属化之前的上覆磷硅酸盐玻璃层中进行注入。离子注入是通过ROM中选定的IGFETs的多晶硅栅电极进行的。ROM中的小尺寸保存在美国Pat中。第4,295,209号，在磷硅酸盐玻璃层下加入氮化硅涂层。因此，当在磷硅酸盐玻璃层中刻蚀种植体开口时，多晶硅栅极不暴露。因此，金属线可以直接穿过种植体开口，而不与栅极接触。然而，氮化硅涂层通常很薄，并且在植入窗内的漏极线和多晶硅栅之间可能存在电容耦合。在较大尺寸的ROM中，这种电容耦合可以变得足够重要，以减缓ROM的速度。 在我们上面提到的同时提交的Ser。第268,086号，我们披露了一个不同的后期编程过程，可以保持较高的运行速度与ROM通常的建设。我们现在发现了一种技术，离子注入的使用方式与前面提到的美国Pat大致相同。第4,295,209号，但没有惩罚较慢的运行速度或扩大的规模在较大的ROM。我们发现美国的帕特。第4,295,209后期编程方法是有效的高密度ROM独特的配置。唯一的配置是已知的，并被称为六角ROM。这种独特的配置不需要金属线交叉植入玻璃层的窗户。因此，电容耦合被最小化。因此，保持最高速度和最大ROM密度。