Synopsys ARC处理器中的紧耦合存储器

Question

我正在研究Synopsys ARC EM处理器(特别是EM4)。我偶然发现了他们所谓的紧密耦合记忆(CCM)。

根据他们的文档，这是一个单周期访问RAM (容量可达2MB)，用于存储指令和数据。在EM4中，使用CCM时没有缓存内存或便签存储器。据我所知，这甚至不是一种紧耦合记忆(TCM)。

我想知道这种记忆怎么会这么快，但到目前为止我还没有成功。(我猜很难成为SRAM，因为容量很大。)

Answer 1

对于StackOverflow来说，你的问题似乎有些离题。

然而，在我看来，“紧密耦合内存”似乎是“片上存储器”的营销代言人。SRAM可以非常快--与DRAM不同，DRAM中的地址是多路复用的，需要多路复用，静态RAM可以从全地址总线解码，并且可以像硅中的逻辑门能够寻址存储位置那样快地工作。2MB在SRAM的范围内是完美的。EM6有高速缓存，所以选择取决于设计者是否支付更好的EM6性能(想必)的溢价，同时也不排除EM4瞄准的成本意识市场。“紧耦合内存”似乎基本上是片上存储器的另一个(营销)术语，用于区别于“基于总线的系统”，在这种系统中，内存将脱离芯片，减慢速度，占用更多的电源，占用更多的板空间等等。