我使用STM32F411RE。因为我的内存里没有内存了。我决定在闪存中存储大变量。为此,我在section.ld中创建了一个节。
.large_buffer: ALIGN(4)
{
. = ALIGN(4) ;
*(.large_buffer.large_buffer.*)
. = ALIGN(4) ;
} >FLASH在main.c文件中,我声明变量如下:
uint8_t buffer[60 * 200] __attribute__ ((section(".large_buffer"), used));此时一切正常,缓冲区没有存储在RAM (bss)中,我可以访问它并重写它。
buffer[25] = 42;
printf("%d\n", buffer[25]); // 42当我想从另一个文件编辑变量时,问题就出现了。
main.c
uint8_t buffer[60 * 200] __attribute__ ((section(".large_buffer"), used));
int main()
{
myFunc(buffer);
}other.c
myFunc(uint8_t* buffer)
{
buffer[25] = 42;
printf("%d\n", buffer[25]); // 0
}buffer从不更改另一个文件(作为参数传递)。
我错过了什么吗?
发布于 2016-12-06 10:15:28
由于闪存的物理设计,不能像写入RAM那样写入闪存。确切地说,您需要擦除扇区/页(假设~ 1-4kB,它是在您的MCU数据表中指定的)。其原因是,闪存的原因是,即使没有电源,它们仍然保持状态,每当您想要更改值为0 -> 1的任何位时,都需要擦除整个扇区(在擦除所有位后,所有位将被设置为1)。
所以您不能使用Flash作为数据内存,您可以做的是使用Flash存储属于const (只读)值的变量,因此任何查找表都将完全适合在其中(通常,当您将变量设置为const时,编译器会将它们放入闪存中)。如何写到flash,您可以在参考手册中阅读您的MCU。
https://stackoverflow.com/questions/40991905
复制相似问题