Nand flahs细胞上的坏块

Question

我在研究闪存(Nand)的可靠性问题。我们知道，如果块被损坏，它称之为“坏块”。但我有些问题让我很困惑。期待你的帮助。

以下是我的问题：

1.我们是否也可以称该单元为“坏单元”，包括在该坏块内？

2.坏块与坏细胞(或受损细胞)有什么区别？

3.当程序/读或程序/写时会出现坏块吗？(因为据我所知，这种情况经常发生在擦除块上)

提前谢谢你。

Answer 1

在闪存中，单元是最小存储单元，通常对应于单个浮动栅晶体管。

因此，坏单元自然是不工作的存储单元。

这个术语显然是有效的，至少在本文中是这样使用的：闪存技术

有时，音频闪存设备可能包含一些坏的单元。

在NAND闪存单元中，将页面组织为而不是字节，以获得更好的空间密度。

块是一组可以一起擦除的页面；因此，块只是一个单元格数组，而坏块是一个包含至少一个坏单元格的块。

关于第三点，我真的不能确定。

阅读，仅仅是一种感觉，不应该真的能够打破一个细胞。

擦除，当然可以。

根据维基百科的说法，编程可以用热载流子注入来完成，这可能会造成身体上的伤害。