有更多闪存的控制器消耗更多的能量吗？

Question

我有个问题。控制器使用的闪存越多，从控制器消耗的能量越多，来自类型的闪存越少，其他所有参数都是相等的。问题是理论上的。我想要同样的内存？

Answer 1

通常较高的密度(容量)存储器是用一个较小的(即14纳米)过程，其中你得到的越小，你得到更多的(直流)漏电流。这是漏出硅的未使用的能量。这也取决于硅模的物理尺寸和模具的数量。当存储模被堆叠时，该区域是加性的(直流电源)。因此，一个较老的1MB闪存模具堆叠8级是远远高于1级8MB芯片漏电流。

更大的能源消耗是电压*电流*频率(AC)项。这种功耗在DRAM上约为75%，但不确定闪存的比率是多少，可能类似。

在增加功率方面，通常是空闲的，读取、列更改(DRAM)、写、刷新(DRAM)，然后是擦除(Flash)。

当空闲时，最新的记忆变得非常有效率。因此，上述75%目前可能高达85%或更高。我已经有一段时间没有计算或测量了，对不起。

SRAM只在每次读或写时使用电源。剩下的时间几乎什么都没有。

Answer 2

一些澄清：

1. 动态功耗与<data change frequency> x <Capacitance> x <Voltage^2>成正比，这里的C代表电容，而不是电流。这是执行读/写/擦除操作时的主要因素。
2. 泄漏功率与面积或逻辑/SRAM/FLASH成正比。当逻辑/ SRAM /闪存是IDLE.
3. communication时，这是占主导地位的因素，它比片外闪存具有更高的功耗效率，因为您在通信中消耗了额外的功率:信号是通过通常工作在标准逻辑电压2到4倍的pad单元驱动的。星载线的电容比片上路由高几个数量级，需要将数据多次复制到FLASH接口主从端的内部触发器中，以支持通信协议和信号同步。这意味着SRAM的访问延迟要低于对闪存的访问时间。
4. 除了成本更低之外，闪存系统也是模块化的--相同的芯片可以在几块不同闪存大小的板上使用。闪存块
5. 在无法使用之前可以支持有限的写入/擦除周期。较大的闪存设备可以将写/擦除操作扩展到一组较大的内存块上，从而延长有效寿命和有效大小。