如何使用SAM提高闪烁速度？
如何使用SAM提高闪烁速度？
提问于 2021-05-10 13:17:26
我试图将yocto生成的图像闪现到SAM9X60EK板中，但速度太慢了，我认为这是因为写缓冲区的大小只有8KB (图像大约为150 my )，如下所示，
write:microchip-headless-image-sam9x60ek.ubi:0x800000
$ sam-ba -p系列-b sam9x60-ek -a nandflash -c
输出：
打开串口'ttyACM0‘连接打开。
检测到的内存大小为536870912字节。
页大小为4096字节。
缓冲区是地址0x0030aca0的8192字节(2页)。
NAND报头值为0xc1e04e07。
支持擦除块大小:256
或
在地址0x00800000处写入8192字节(0.01%)
在地址0x00802000处写入8192字节(0.01%)
…
…
在地址0x0015c000处写入8192字节(99.83%)
在地址0x0015e000 (100%)上写入8192字节
是否有可能使这一过程更快？
回答 1
Stack Overflow用户
发布于 2022-03-29 11:16:40
您可以尝试在刻录之前运行此命令：
sam-ba -p系列-b sam9x60-ek -a低级
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原文链接：
https://stackoverflow.com/questions/67471165
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