在STM32 F4内部闪存中存储和写入文本文件

Question

我需要将文本文件存储到STM32 F446RE内部闪存中。这个文本文件将包含需要写入并一致更新的日志数据。我知道有几种写入方式，包括将文本作为常量字符串/数据嵌入源代码中，或者实现文件系统(由于扇区方向而不适合STM32 F4闪存)，. It共有7个扇区大小不同。扇区0-3每个包含16 kB，4包含64 kB，每台5到7都包含128 kB，这意味着总共有512个kB的闪存。这些都不足以满足我想要的东西，我想知道是否有人有想法?我正在使用STM32CubeIDE。

Answer 1

写入闪存首先需要擦除操作。似乎您已经知道擦除操作必须对整个扇区执行。还请注意，闪存会随着重复的擦除/写入循环而耗尽。

我建议了三种方法中的一种，这取决于您必须存储多少数据和您的编码能力。

一种“片内”方法是在RAM中实现循环缓冲区，并在那里维护日志。如果电源丢失，则需要代码将RAM缓冲区提交给闪存。在启动电源时，需要代码从闪存中恢复RAM缓冲区。这意味着您的设计不会受到频繁的电源周期的影响，并且您可以为微控制器维护足够长的时间来将缓冲区从RAM保存到闪存。

下一个选项是使用外部内存芯片。EEPROM不是非常快，也会被磨损。FRAM速度快，在穿衣服之前经历了数万亿次的写作。它可以作为I2C或SPI使用，因此您可以实现许多芯片，以提供合理的缓冲区大小，并在处理程序代码中处理芯片到内存的映射。但是FRAM并不便宜。

最后，还有一个添加SSD驱动器的选项。这些设备包括“磨损平衡”，以保持其活动寿命。然而，您需要一个合适的接口，如USB或PCI。

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