写入闪存dspic33e

Question

关于带有dspic33ep512mu810的闪存，我有一些问题。我知道该如何做:为地址、锁存等设置所有寄存器，然后执行顺序来启动写过程或调用builtins函数。

但是我发现在我的经历和DOC中的东西之间有一些小的区别。

1. 在字模式下写闪光灯时。在DOC中，这是相当简单的。下面是DOC中的示例代码

int varWord1L = 0xXXXX；int varWord1H = 0x00XX；int varWord2L = 0xXXXX；int varWord2H = 0x00XX；int TargetWriteAddressL；// bits<15:0> int TargetWriteAddressH；// bits<22:16> NVMCON = 0x4001；// set WREN和word程序模式TBLPAG = 0xFA；// write闩锁上层地址NVMADR = TargetWriteAddressL；//设置目标写入地址NVMADRU = TargetWriteAddressH；__builtin_tblwtl(0，varWord1L)；//加载写闩锁__builtin_tblwth(0，varWord1H)；__builtin_tblwtl(0x2，varWord2L)；__builtin_tblwth(0x2，varWord1H)；__builtin_disi(5)；//禁用NVM解锁序列__builtin_write_NVM()的中断；//启动写时(NVMCONbits.WR == 1)；

但根据我想写的地址，这段代码不起作用。我找到了写一个字的办法，但我不能在我想写的地方写两个字。我把所有东西都存储在aux内存中，所以上面的地址(NVMADRU)对我来说总是0x7F。NVMADR是我可以更改的地址。我看到的是，如果我想要写模块4的地址不是0，那么我必须把我的值放在最后的两个锁存中，否则我必须把这个值放在第一个锁存中。

如果地址模块4不是零，它的工作方式不像文档代码(上面)。地址上的值将是第二组闩锁中的值。我把它修正为一次只写一个字：

if(Address % 4)
{
    __builtin_tblwtl(0, 0xFFFF);
    __builtin_tblwth(0, 0x00FF);
                                                        
    __builtin_tblwtl(2, ValueL);
    __builtin_tblwth(2, ValueH);        
}
else
{
    __builtin_tblwtl(0, ValueL);
    __builtin_tblwth(0, ValueH);
    __builtin_tblwtl(2, 0xFFFF);
    __builtin_tblwth(2, 0x00FF);
}

我想知道为什么我会看到这种行为？

2)我也想写一整行。这似乎也不适合我，我也不知道为什么，因为我在做DOC的事情。我尝试了一个简单的写行代码，最后我只读取了我编写的第一个3或4个元素，看看它是否有效：

NVMCON = 0x4002;                  //set for row programming
TBLPAG = 0x00FA;                  //set address for the write latches
NVMADRU = 0x007F;                 //upper address of the aux memory
NVMADR = 0xE7FA;
int latchoffset;
latchoffset = 0;
__builtin_tblwtl(latchoffset, 0);
__builtin_tblwth(latchoffset, 0);         //current = 0, available = 1
latchoffset+=2;
__builtin_tblwtl(latchoffset, 1);
__builtin_tblwth(latchoffset, 1);         //current = 0, available = 1
latchoffset+=2;
.
. all the way to 127(I know I could have done it in a loop)
.
__builtin_tblwtl(latchoffset, 127);
__builtin_tblwth(latchoffset, 127);
INTCON2bits.GIE = 0;  //stop interrupt
__builtin_write_NVM();
while(NVMCONbits.WR == 1);
INTCON2bits.GIE = 1;  //start interrupt
int testaddress;
testaddress = 0xE7FA;
status = NVMemReadIntH(testaddress);
status = NVMemReadIntL(testaddress);
testaddress += 2;
status = NVMemReadIntH(testaddress);
status = NVMemReadIntL(testaddress);
testaddress += 2;
status = NVMemReadIntH(testaddress);
status = NVMemReadIntL(testaddress);
testaddress += 2;
status = NVMemReadIntH(testaddress);
status = NVMemReadIntL(testaddress);

我看到的是存储在地址0xE7FA中的值是125，在0xE7FC中是126，在0xE7FE中是127。其余的都是0xFFFF。为什么它只取最后3个锁存，并将它们写在前3个地址中？

提前感谢你们的帮助。

Answer 1

dsPIC33程序内存空间被视为24位宽，更合适的做法是将程序内存的每个地址看作一个上下字，而上层单词的上字节未实现。

(dsPIC33EPXXX数据表)

​

​

每两个程序单词就有一个幻影字节。

你的代码

if(Address % 4)
{
    __builtin_tblwtl(0, 0xFFFF);
    __builtin_tblwth(0, 0x00FF);
                                                        
    __builtin_tblwtl(2, ValueL);
    __builtin_tblwth(2, ValueH);        
}
else
{
    __builtin_tblwtl(0, ValueL);
    __builtin_tblwth(0, ValueH);
    __builtin_tblwtl(2, 0xFFFF);
    __builtin_tblwth(2, 0x00FF);
}

如果从有效的Intel文件生成值，则...will可以编写引导加载程序，但并不能简化数据结构的存储，因为没有考虑到幻影字节。

如果您创建一个uint32_t变量并查看已编译的HEX文件，您会注意到它实际上耗尽了两个24位程序单词中最不重要的单词。也就是说，32位值被放置在64位范围内，但64位中只有48位是可编程的，其余的是幻影字节(或零)。留下三个字节，每个地址模块4，实际上是可编程的。

如果写数据的话，我倾向于做的是保持32位对齐，并和编译器一样。

写作：

UINT32 value = ....;
:
__builtin_tblwtl(0, value.word.word_L); // least significant word of 32-bit value placed here
__builtin_tblwth(0, 0x00); // phantom byte + unused byte          
__builtin_tblwtl(2, value.word.word_H); // most significant word of 32-bit value placed here
__builtin_tblwth(2, 0x00); // phantom byte + unused byte       

阅读：

UINT32 *value
:
value->word.word_L = __builtin_tblrdl(offset);
value->word.word_H = __builtin_tblrdl(offset+2);

UINT32结构：

typedef union _UINT32 {
    uint32_t val32;
    struct {
        uint16_t word_L;
        uint16_t word_H;
    } word;
    uint8_t bytes[4];
} UINT32;