内存复制: ARM STM与ARM霓虹灯

Question

我需要复制大量内存(按47k的顺序)(例如，从USB缓冲区复制到更永久的缓冲区)。

这是使用手臂皮质A8。

(手臂上有霓虹灯代码。)

ARM霓虹灯指令一次可以复制4个32位元素(每条指令).

ARM、LDM和STM指令一次可以加载和存储超过4个寄存器(每条指令)。

问题：

1. 哪一种更有效地复制大量内存(例如47k)、ARM霓虹灯指令或ARM LDM和STM指令？(我没有可用的基准测试工具；这是在嵌入式系统上使用的)。

1. 用于复制内存的ARM霓虹灯指令的优点是什么？

1. 的项目主要是C语言，但也有一些汇编语言。是否有方法建议编译器使用ARM NEON或LDM/STM指令，而不进行优化？(我们在没有优化的情况下启动代码，所以在返回产品时没有区别。有可能优化可以对产品中的问题负责。)

。

工具：

ARM皮质A8处理器

IAR电子工作台IDE和编译器。

在Windows 10 PC上开发，到远程嵌入式ARM处理器(通过JTAG)。

Answer 1

霓虹灯具有负载和存储不对齐的优点，但耗能更大。

而且，由于您正在将USB缓冲区复制到对齐和大小完全控制的缓冲区，因此没有霓虹灯会更好，因为内存速度是相同的。

标准的memcpy很可能已经使用了neon (它依赖于BSP)，因此我会编写一个使用ldrd和strd的迷你版本，它比ldm和stm略快一些。

.balign 64
    push    {r4-r11}
    sub     r1, r1, #8
    sub     r0, r0, #8
    b       1f
    
.balign 64
1:
    ldrd    r4, r5, [r1, #8]
    ldrd    r6, r7, [r1, #16]
    ldrd    r8, r9, [r1, #24]
    ldrd    r10, r11, [r1, #32]!
    subs    r2, r2, #32
    
    strd    r4, r5, [r0, #8]
    strd    r6, r7, [r0, #16]
    strd    r8, r9, [r0, #24]
    strd    r10, r11, [r0, #32]!
    bgt     1b

.balign 16
    pop     {r4-r11}
    bx      lr  

我认为使缓冲区大小乘以32没有问题，这两个缓冲区对齐为64字节(缓存行长度)，甚至更好的是4096字节(页面大小)。