速度比较eeprom-flash-sram

Question

目前编码为爱特梅尔公司的tiny45单片机和我使用的几个查找表。哪里是存放它们的最好的地方？你能告诉我sram-flash-eeprom之间的内存速度差异吗？

Answer 1

EEPROM是到目前为止最慢的替代方案，写入访问时间在10ms左右。读访问与闪存访问的速度差不多，外加地址设置和触发的开销。由于EEPROM的地址寄存器中没有自动递增功能，因此读取每个字节至少需要四条指令。

SRAM访问是最快的(除了直接寄存器访问)。

闪存比SRAM稍慢，并且在每种情况下都需要间接寻址(Z指针)，SRAM访问可能需要也可能不需要，这取决于表的结构和访问模式。

有关指令的执行时间，请参阅AVR Instruction Set，特别是LPM与LDS、LD和LDD指令的比较。