

电气特性
供电分三域:内核 VDDINT 典型 1.2V(0.8~1.2V),IO/ RTC VDDEXT 1.75~3.6V,芯片 IO 耐压最高 3.8V。
主频规格:最高 400MHz CCLK,外设 SCLK 最大 133MHz,由 0.5~64 倍可编程 PLL 倍频生成。
功耗电流:400MHz 标准工况内核典型电流 152mA;冬眠模式 IO 漏电流仅 50~100μA。
工作温度:160 球 CSP_BGA 封装,工业级 - 40℃~+85℃,最大结温 105℃。
极限耐压:VDDINT 最大 1.45V,VDDEXT 最大 3.8V,输入引脚不能超过 - 0.5~3.8V 区间。
IO 电气:3.3V 供电时输出高电平≥2.4V、低电平≤0.4V,单引脚输入电容 4~8pF。
时钟输入:外部 CLKIN 周期 25~100ns,高低电平最小脉宽均 10ns,支持片内 32.768kHz RTC 晶振。
电源管理:内置 50mV 步进可调片内稳压器,支持全速 / 活跃 / 休眠 / 冬眠四档功耗模式。
外部存储接口 EBIU

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